罗姆计划为150V GaN功率晶体管提供8V栅极

罗姆计划为150V GaN功率晶体管提供8V栅极

GaN HEMT 的弱点之一是其栅极的额定电压低(通常约为 6V),这使它们容易受到瞬态损坏,特别是因为它们需要大约 5V 的驱动才能运行。罗